三星电子全球首发量产3纳米芯片

三星电子30日宣布，旗下华城工厂已利用3纳米（nm）全环绕栅极（GAA）制程工艺节点开始量产首批芯片，成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。三星表示，将于明年投入的第二代3纳米工艺能使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。